MMBT5551

Introdução ao produto:

Características básicas
O MMBT5551 é um ajuste do transistor NPN para projetos de circuitos que pedem transistores NPN.

Com 160V, a tensão do emissor do coletor (VCEO) mostra que o transistor pode resistir a tensões reversas de até 160V.

A corrente mais alta do coletor, adequada para usos de potência média, é 0,6a.

A dissipação de energia mais alta, adequada para aplicações de baixa a média potência, é de 0,3W.

Geralmente de 180 a 240, o ganho de corrente DC (HFE) indica que o transistor tem forte capacidade de amplificação.

A frequência característica, adequada para alguns usos de alta frequência, é de 80MHz.

Adotando embalagem SOT-23, esta embalagem compacta de montagem de superfície ajusta para o projeto da placa de circuito de alta densidade.

Geralmente, cerca de 0,5V, a tensão de saturação (VCE) é bastante baixa, o que ajuda a diminuir o consumo de energia e aumentar a eficiência.

Corte de corte (ICEO): Geralmente, na faixa de dezenas de nanoamps, a corrente de corte bastante modesta indica que a corrente de vazamento do dispositivo no estado de corte também é bastante pequena.

Materiais livres de chumbo: cumprindo as regras do ROHS, esse produto ecológico desprovido de elementos perigosos como Mercúrio e Lead IS.

Ficha de dados:

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MMBT3906:Este componente é um transistor PNP com alto ganho de corrente e baixa resistência de entrada, que pode ser usada como um amplificador de sinal de baixo ruído, alta velocidade e pequeno.

MMBT2222:Este componente é um transistor NPN com resposta de alta frequência, que pode ser usada como um interruptor de alta velocidade e é comumente usada em interruptores de energia, drivers e circuitos lógicos.

MMBT2907:Este componente é um transistor PNP com alto ganho de corrente e baixa resistência de entrada, que pode ser usada como um amplificador de sinal de baixo ruído, alta velocidade e pequeno.

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