Transistor

Transistor de junção bipolar (BJT)
Bipolar Junction Transistors are transistors that are built up of 3 regions, the base, the collector, and the emitter. Bipolar Junction transistors, different FET transistors, are current-controlled devices. A small current entering the base region of the transistor causes a much larger current flow from the emitter to the collector region. Bipolar Os transistores de junção vêm em dois tipos principais, NPN e PNP . Um transistor NPN é aquele em que a maioria dos portadores atuais são elétrons .

Electron flowing from the emitter to the collector forms the base of the majority of current flow through the transistor. The further types of charge, holes, are a minority. PNP transistors are the opposite. In PNP transistors, the majority of current carrier holes. BJT transistors are available in two types namely Pnp e npn .

Transistor PNP
This transistor is another kind of BJT – Bipolar Junction Transistors and it contains two p-type semiconductor materials. These materials are divided through a thin n-type semiconductor layer. In these transistors, the majority charge carriers are holes whereas the minority charge carriers are electrons.

Neste transistor, o símbolo de seta indica o fluxo de corrente convencional . A direção do fluxo de corrente neste transistor é do terminal emissor para o terminal do coletor . Este transistor será ativado quando o terminal base é arrastado para baixo em comparação com o terminal de emissor.}

Transistor NPN
NPN is also one kind of BJT (Bipolar Junction Transistors) and it includes two n-type semiconductor materials which are divided through a thin p-type semiconductor layer. IN the NPN transistor, the majority charge carriers are electrons whereas the minority charge carriers are holes. The electrons flow from the emitter terminal to the collector O terminal formará o fluxo de corrente dentro do terminal base do transistor .

In the transistor, the less amount of current supply at the base terminal can cause supply huge amount of current from the emitter terminal to the collector. At present, the commonly used BJTs are NPN transistors, as the electrons mobility is higher as compared with the mobility of holes. The NPN transistor with a symbol is shown below.

Transistor de efeito de campo
Os transistores de efeito de campo são compostos por 3 regiões, um portão, uma fonte e um dreno . diferentes transistores bipolares, os FETs são dispositivos controlados por voltagem . uma tensão, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, a parte do transistente é que a fonte de um dos transistores é uma das portões, que a fonte é a fonte de um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é um dos transistores, que é a fonte de um transistente, que é a figura de field, que é a fonte do dreno do dreno do transistor {4. (Mω) de resistência a valores muito, muito maiores .

This high input impedance causes them to have very little current run through them. (According to ohm's law, the current is inversely affected by the value of the impedance of the circuit. If the impedance is high, the current is very low.) So FETs both draw very little current from a circuit's power source.

Assim, isso é ideal porque eles não perturbam os elementos de potência do circuito original aos quais estão conectados a . Eles não farão com que a fonte de energia seja carregada para baixo . A desvantagem dos FETs é que eles não fornecem a mesma amplificação que pode ser obtida dos transistores bipolares .}}}}

Os transistores bipolares são superiores no fato de que eles fornecem maior amplificação, mesmo que os FETs sejam melhores, pois causam menos carga, são mais baratos e mais fáceis de fabricar . transistores de efeito de campo vêm em 2 tipos principais: JFETS e MOSFETS . JFETS e MOSFETS são muito semelhantes, mas os Mosfets .} JFETS e MOSFETS são muito semelhantes JFETS . Isso causa ainda menos carregamento em um circuito . FET transistores são classificados em dois tipos, como JFET e MOSFET .

JFET
The JFET stands for Junction-Field-Effect transistor. This is simple as well as an initial type of FET transistors which are utilized like resistors, amplifiers, switches, etc. This is a voltage-controlled device and it doesn't use any biasing current. Once the voltage is applied among gate & source terminals then it controls the current flow Entre a fonte e o dreno do transistor JFET .

O transistor de efeito do campo de junção (Jugfet ou JFET) não possui junções PN, mas em seu lugar tem uma parte estreita do material semicondutor de alta resistividade, formando um "canal" de N-Type ou P-Type Silicone para os transportadores e a base », com duas conexões elétricas ósseas, em» ‘normalmente chamadas de dreno e a fonte respectiva zanse»

Existem duas configurações básicas de um transistor de efeito de campo de junção, o canal n e o canal p jFET . O canal n-canal n é dopado com as impurezas do doador, o que significa que o fluxo de corrente através do canal é negativo (portanto, o termo n-channel) nessa forma de uma forma de eletrodomésticos {{{{{{{{{ Tipos de canal n .

MOSFET
MOSFET or Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor is most frequently used among all kinds of transistors. As the name suggests, it includes the terminal of the metal gate. This transistor includes four terminals like source, drain, gate & substrate, or body.
As compared with BJT and JFET, MOSFETs has several benefits as it provides high i/p impedance as well as low o/p impedance. MOSFETs are mainly used in low power circuits especially while designing chips. These transistors are available in two types like depletion & enhancement. Further, these types are categorized into P-channel & Tipos de canal n .