Transistor de SILÍCIO S8550

Ficha técnica do transistor S8550:

CARACTERÍSTICAS

Complementar ao S8050

Corrente do coletor: IC=0.5A

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS (grau Ta=25, salvo indicação em contrário)

Parâmetro

Símbolo Condições de teste Mín. Máx. Unidade

Tensão de ruptura da base do coletor

V(BR)CBO

CI=-100μA, IE=0

-40 V 

Tensão de ruptura coletor-emissor

V(BR)CEO CI =-1mA, IB=0 -25 V

Tensão de ruptura da base do emissor

V(BR)EBO

IE= -100μA, IC=0

-5 V 

Corrente de corte do coletor

ICBO VCB= -40V, IE=0 -0.1

μA 

Corrente de corte do coletor

ICEO VCE= -20V, IB=0 -0.1

μA 

Corrente de corte do emissor

IEBO VEB= -3V, IC=0 -0.1

μA 

hFE(1) VCE= -1V, IC= -50mA 120 400

Ganho de corrente DC

hFE(2) VCE= -1V, IC= -500mA 50

Tensão de saturação coletor-emissor

VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0.6 V

Tensão de saturação base-emissor

VBE(sáb)

IC{0}}mA, IB= -50mA -1.2 V

Frequência de transição

fT

VCE= -6V, IC= -20mA

f=30MHz

150 MHz

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25 )

O Transistor S8550, também conhecido como Transistor de Junção Bipolar PNP, é um componente eletrônico popular usado em uma variedade de aplicações. Este transistor pode lidar com correntes de coletor de até 700 mA e tensões coletor-emissor de até 20 volts, tornando-o adequado para muitas aplicações de baixa potência.

Uma das principais características do transistor S8550 é sua complementaridade com o transistor UTC S8050, que é um Transistor de Junção Bipolar NPN. Essa característica o torna uma escolha ideal para aplicações que exigem amplificação de potência ou circuitos de comutação simples.

Outra característica importante do transistor S8550 é que ele é livre de halogênio, o que é ecologicamente correto e considerado uma vantagem significativa na fabricação eletrônica moderna. O uso de materiais livres de halogênio em componentes eletrônicos está rapidamente se tornando uma prática padrão na indústria.

Algumas aplicações comuns do transistor S8550 incluem amplificadores de áudio, pré-amplificadores de microfone e reguladores de voltagem. Além disso, ele também é usado em circuitos de comutação de baixa potência, como drivers de LED, controladores de motor e relés.

Ao usar transistores S8550, é essencial ter em mente alguns parâmetros operacionais. Por exemplo, o ganho máximo deste transistor é em torno de 630, e sua dissipação máxima de potência é de 625 miliwatts. Outro fator crucial a considerar é a tensão base-emissor, que normalmente varia entre 0,6 volts a 0,7 volts.

O transistor S8550 é um componente versátil e confiável, adequado para uma ampla gama de aplicações de baixa potência. Sua complementaridade com o UTC S8050, alta corrente de coletor e tensão emissor-coletor o tornam uma escolha ideal para vários circuitos de amplificação de potência e comutação. O fato de ser livre de halogênio o torna uma escolha ecologicamente correta também.

Resposta rápida

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