Descrição
Folha de dados FDD4141:
Detalhes do produto FDD4141
Descrição geral
Este MOSFET P-Channel foi produzido usando a tecnologia proprietária PowerTrench® da Fairchild Semiconductor para oferecer baixo rDS(on) e capacidade Bvdss otimizada para oferecer benefício de desempenho superior nas aplicações. e capacidade de desempenho de comutação otimizada, reduzindo as perdas de dissipação de energia em aplicações de conversores/inversores.
Características
Max rDS(on)= 12.3mΩat VGS= -10V, ID= -12.7A
Max rDS(on){{0}}.0mΩat VGS= -4.5V, ID= -10.4A
Tecnologia de valas de alto desempenho para rDS(on) extremamente baixo
Qualificado para AEC Q101
Compatível com RoHS
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