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MOSFET de canal N 2SK3018 SOT-323

MOSFET de canal N 2SK3018 SOT-323

MOSFET de canal N

Descrição

Folha de dados do MOSFET N-Channel 2SK3018 SOT-323,2SK3018:

 

Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento de canal N

 

CARACTERÍSTICAS
• Protegido contra ESD até 2,5 KV (HBM)
• Tecnologia Trench Power MV MOSFET
• Interruptor de pequeno sinal controlado por tensão
• Baixa capacitância de entrada
• Velocidade de comutação rápida
• Baixo vazamento de entrada/saída

 

FORMULÁRIOS
• Sistemas operados por bateria
• Relés de estado sólido
• Interface de nível lógico direto: TTL/CMOS

 

2SK3018W

 

O MOSFET N-Channel 2SK3018 é um pequeno interruptor de sinal controlado por tensão que emprega a tecnologia Trench Power MV MOSFET. Uma das principais características deste MOSFET é que ele é protegido contra descarga eletrostática (ESD) de até 2,5 KV (HBM).


Este MOSFET é projetado especificamente para ser usado em situações em que baixa capacitância de entrada e velocidade de comutação rápida são cruciais. Seu pequeno pacote aprimora sua aplicação em dispositivos portáteis. É amplamente usado em dispositivos de alimentação ou circuitos de comutação que exigem comutação rápida de ligar e desligar.


O uso da tecnologia Trench Power MV MOSFET neste dispositivo garante que ele tenha uma classificação de alta tensão e saída de corrente em comparação aos dispositivos MOSFET padrão. A tecnologia emprega um processo que resulta em menor resistência, o que se traduz em menos dissipação de calor, resultando em maior eficiência.


Além disso, este MOSFET tem uma capacitância de entrada baixa, o que o torna adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele também tem uma velocidade de comutação rápida, o que se traduz em menos perdas de comutação e melhor eficiência de energia.


O MOSFET N-Channel 2SK3018 é um switch de sinal pequeno controlado por tensão ideal, adequado para aplicações que exigem comutação rápida. Sua baixa capacitância de entrada e velocidade de comutação rápida o tornam adequado em situações em que os pulsos de corrente são frequentes. Além disso, sua proteção ESD garante que ele seja resiliente a picos de alta tensão, tornando-o mais confiável na operação. Seu pequeno pacote o torna adequado para uso em dispositivos portáteis que exigem economia de espaço.

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Um par de:Bap 51 02
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