Parâmetros de diodo de comutação de alta velocidade 1N4148/1N4448

Recurso

Encapsulamento de vidro SOD27 (DO-35)

Alta velocidade de comutação: tempo máximo de recuperação reversa de 4 nanossegundos

Tensão reversa contínua: máximo de 75 volts

Tensão reversa de pico repetitivo: máximo de 100 volts

Corrente direta de pico repetitivo: máximo 450 mA.

Parâmetros principais de 1N4148 e 1N4448:

Corrente média direta IF=200mA

IFSM de corrente de pico direto não repetitivo=2A

Potência dissipada Pd=500mW

Temperatura máxima de junção Tj=200 grau

Temperatura de armazenamento Tstg=-65 grau ~200 graus

Capacitância de junção Cd=4pF

Voltagem de recuperação direta Vfr=2.5V

Corrente de fuga reversa IR=25nA~50 μ A