Quais marcas de comunicação usam amplamente os diodos finais -} em seus dispositivos?

一, avanços tecnológicos de marcas de comunicação internacional
1. Huawei: Revolução dos diodos de carboneto de silício em estações de base 5G
A Huawei substituiu dispositivos tradicionais de silício - com diodos schottky de carboneto de silício (sic) em seu design maciço da antena MIMO, alcançando um aumento significativo na eficiência da síntese de energia. Por exemplo, um certo modelo de estação base aumenta a potência de saída de canal único de 40W para 64W, combinando o Diodo de Recuperação Ultra -Rafast (UFRD), e a eficiência do sistema atinge 48%, o que é 6 pontos percentuais mais altos que a solução tradicional. Esse avanço é atribuído às características amplas de banda dos materiais SiC, que têm uma resistência à ruptura do campo elétrico 10 vezes a do silício, uma redução de 70% na resistência e uma redução significativa nas perdas de comutação e na dissipação térmica.
No módulo de potência da estação base, a Huawei adota um projeto colaborativo do diodo HEMT e SiC, que permite que a eficiência da fonte de alimentação de comunicação de 48V exceda 96%. Ao otimizar as características de recuperação reversa do diodo (o qRR reduzido de 50NC para 5NC), combinado com a tecnologia de resfriamento por microcanais, a densidade de potência do dispositivo atinge 1kW/L, e a temperatura da junção do diodo permanece estável abaixo de 85 graus, atendendo às altas -}}- requisitos de densidade das 5Gs.
2. Ericsson: integração de altos - diodos de frequência na frente da RF - final
O Ericsson aplica amplamente os diodos da tecnologia de super junção na frente de RF - módulos finais, alcançando a homogeneização do campo elétrico, organizando alternadamente colunas P/N, reduzindo a queda de tensão de condução (VF) de diodos schotky de 600V de 1,7V a 1.1V. Em cenários de comunicação de ondas milimétricas (24 - 100GHz), seu Diodo de estrutura de MOSFET de Trench MOSFET reduz a resistência à condução a 0,5m Ω · cm ² e reduz o tempo de recuperação reverso para 5Ns, atendendo aos requisitos de alta velocidade de 5g (5G) para Radions) para 5Ns, que atende aos requisitos de comutação de alta velocidade.
Além disso, o Ericsson usa diodos PIN com embalagem de chumbo de feixe em equipamentos de comunicação por satélite para obter uma velocidade de resposta de nível de 0,5NS para os circuitos de comutação de antenas. Este dispositivo reduz a tensão de ultrapassagem do sinal de 5V a 0,5V, eliminando a indutância encapsulada (LPAR<0.5nH), significantly improving system stability.
3. Nokia: fotodiodos inovadores em módulos de transmissão óptica
A Nokia usa o fotodiodo SAKO Micro SL9302 Silicon Pin em seu módulo de transmissão óptica 400G/800G para obter um avanço na sensibilidade da recepção do sinal óptico. Este dispositivo melhora a responsividade a 0,9a/w (@ 1550nm) e reduz a corrente escura a 0,1na, otimizando a espessura da camada i -, suportando transmissão livre de relé mais de 100 km. Nos sistemas coerentes de comunicação óptica, a largura de banda 3DB do SL9302 atinge 30GHz, atendendo aos requisitos do formato de modulação PAM4 para a detecção de sinal de velocidade -.
2, Prática de substituição doméstica de marcas de comunicação doméstica
1. ZTE: Tecnologia de retificação síncrona em módulos ópticos
A ZTE Corporation substituiu os diodos tradicionais por n - produzido no mercado interno em seus módulos ópticos finais 5G na frente -}, alcançando um salto na eficiência de retificação síncrona. Por exemplo, seu módulo óptico de 25g ajusta dinamicamente o ângulo de condução do MOSFET, aumentando a eficiência da conversão de energia de 85% para 94% e economizando até 1,2 milhão de kWh de eletricidade por módulo por ano. Essa tecnologia reduz o consumo de energia em 60%, eliminando a queda de tensão fixa (VF ≈ 0,7V) do diodo, além de reduzir a dificuldade do projeto térmico.
No campo da fonte de alimentação da estação base, a ZTE colaborou com Suzhou Gude para desenvolver diodos retificadores sic sbd, que reduzem a queda de tensão direta (VF =0.3 v) em 80% em comparação com os diodos de recuperação rápida tradicional e reduzem o tempo de recuperação reverso (TRR =10} ns) por 70. O dispositivo permanece estável dentro da faixa de temperatura de -40 graus a +125, atendendo aos rigorosos padrões de confiabilidade do equipamento de comunicação.
2. Comunicação de fibras: proteção de diodo TVS em data centers
A FiberHome Communications usa diodos de TVs unidirecionais do LittElfuse (como SMAJ5.0A) em seus interruptores de data center para obter proteção eletrostática para as portas Ethernet 10/1000 - T. Ao otimizar a estrutura da junção PN, o tempo de resposta deste dispositivo é reduzido para 1PS, a precisão da tensão de fixação é controlada a ± 5%e pode suportar a descarga de ar de 30kV e a descarga de 15kV de contato, atendendo ao padrão IEC 61000-4-5.
No módulo óptico de data center 400G, o fibras colaborou com Vishay para desenvolver um diodo de TVs de capacitância parasita baixa (CJ =0.5 PF), o que reduz a atenuação do sinal para abaixo de 0,1dB e suporta a transmissão sem perda de sinais PAM4. Este dispositivo reduz a ocupação do espaço da PCB em 60% adotando a embalagem de montagem na superfície (SMD), que atende aos requisitos de implantação de densidade - altos dos data centers.
3. Comunicação de jingxin: seleção de altos diodos de frequência -
A comunicação de jingxin usa amplamente altos diodos de frequência -, como 1N4148 e SS14, para obter detecção e retificação de sinal em suas pequenas estações de base 5G. Por exemplo, 1N4148 atinge a detecção de sensibilidade -40dBM na faixa de frequência de 2,4 GHz WI Fi 6E com seu tempo de recuperação reverso 8NS e capacitância de junção de 4pf; O diodo SS14 Schottky possui uma queda de tensão direta de 0,3V e uma queda de tensão reversa de 40V, atendendo às necessidades de baixa tensão e alta fonte de alimentação de pequenas estações de base.
Em pequenas estações de base da onda milimétrica, a jingxin introduziu diodos de RF BAP64-03. Ao otimizar a espessura da camada epitaxial, a perda de inserção de sinais de 10 Gbps é controlada dentro de 0,5dB e o ruído de fase é reduzido para -160dbc/hz, atendendo aos requisitos estritos de 5g NR para desempenho de RF.